HORIBA EV-140C 光发射光谱蚀刻终点监测仪

EV-140C 发射分析型终点监测仪用于等离子体半导体薄膜工艺中的终点检测或等离子体条件控制。

新开发的 Rapture Intensity 算法通过捕捉微弱的信号变化来实现终点检测，捕捉细微发射变化的能力可提高灵敏度。

该系统采用开口率为 F/2 的亮光栅，使用 HORIBA Jobin Yvon 制造的像差校正凹面光栅构建明场光学系统。

背照式 CCD 线传感器提供 2048 条高灵敏度和高分辨率通道，支持从紫外到可见光的宽光谱范围内稳定光谱测量。

Sigma-P 软件用于先进制程控制，支持等离子体性能分析、测量数据数据库创建和制造设备远程控制。