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PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器

PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜

品牌: Oxford Instruments Plasma Technology价格: 面议服务区域: 全国

广西科米瑞实验仪器设备有限公司提供 Oxford Instruments Plasma Technology PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器 产品资料、选型咨询、供货报价和售后服务支持,价格面议。

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PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器
说明规格FAQ

说明

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

高质量的薄膜,高产量和出色的均匀性

电极的适用温度范围宽

兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

成本低且易于维护

电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C

实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺

规格

型号PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器
产品分类Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / PECVD
晶圆/样品尺寸适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆 成本低且易于维护 电阻丝加热电
工艺类型原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
工艺特点均匀性好且沉积速率高的薄膜
工艺特点高产量和出色的均匀性 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更
工艺特点实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺

FAQ

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