AD-800LP
低损伤等离子体增强原子层沉积(ALD)与热原子层沉积(ALD)结合在同一沉积腔室中。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。氮化膜(AlN、SiN)的形成和低温形成的氧化膜(AlOx、SiO2)
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化学气相沉积
原子层沉积(ALD)
等离子体强化的ALD设备 AD-800LP
等离子体强化的ALD设备 AD-800LP卓越的重复性和稳定性
主要特点和优点
低损伤等离子体增强原子层沉积(ALD)与热原子层沉积(ALD)结合在同一沉积腔室中。
原子层级的均匀薄膜控制。
高深宽比结构的共形沉积。
卓越的平面内均匀性和重复性。
腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。
氮化膜(AlN、SiN)的形成和低温形成的氧化膜(AlOx、SiO2)。
电子设备的闸门绝缘子
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