等离子体强化的ALD设备 AD-800LP
AD-800LP
低损伤等离子体增强原子层沉积（ALD）与热原子层沉积（ALD）结合在同一沉积腔室中。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）
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说明
化学气相沉积
原子层沉积(ALD)
等离子体强化的ALD设备 AD-800LP
等离子体强化的ALD设备 AD-800LP卓越的重复性和稳定性
主要特点和优点
低损伤等离子体增强原子层沉积（ALD）与热原子层沉积（ALD）结合在同一沉积腔室中。
原子层级的均匀薄膜控制。
高深宽比结构的共形沉积。
卓越的平面内均匀性和重复性。
腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。
氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。
电子设备的闸门绝缘子
半导体、有机EL等的钝化膜。
半导体激光器的反射面
在MEMS等3D结构上的沉积
石墨烯上的沉积
规格
| 型号 | AD-800LP |
|---|---|
| 产品类别 | ALD/PEALD system |
| 技术参数 | 等离子体强化的ALD设备 AD-800LP |
| 技术参数 | 等离子体强化的ALD设备 AD-800LP卓越的重复性和稳定性 |
| 技术参数 | 氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。 |
| 技术参数 | 在MEMS等3D结构上的沉积 |
FAQ
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