PECVD等离子沉积设备 DEPOLAB 200

PECVD等离子沉积设备 DEPOLAB 200 低成本效益高 PECVD等离子体增强化学气相沉积设备Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接载片相结合。升级扩展性 根据其模块化设计，PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。SENTECH控制软件 强大的用户友好软件包括模拟图形用户界面，参数窗口，工艺处方编辑窗口，数据记录和用户管理。Depolab 200是SENTECH 基本的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的成本效益设计的优点。从2″至8″晶片和样品的标准应用开始，可以逐步升级以完成复杂的工艺。PECVD Depolab 200的显著特点是系统的可靠设计，软件和硬件的灵活性。在该设备上开发了不同的工艺，例如用于高质量氮化硅和氧化硅层的沉积。PECVD Depolab 200包括带气路柜的反应腔体，电子控制，计算机、前级泵和配电箱。Depolab 200 等离子增强沉积设备用于在从室温到400℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特别适用于沉积用于刻蚀掩膜，电隔离膜及其他的介质膜。PECVD Depolab 200由SENTECH先进的控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Depolab 200 等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备 开盖载片 适用于大到200mm的晶片 衬底温度可高达400 °C 可选低频射频降低应力 干泵组 占地面积小 想获取更多信息，请点击此处。想获取更多信息，请点击此处。PECVD等离子沉积设备 DEPOLAB 200 低成本效益高 PECVD等离子体增强化学气相沉积设备Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接载片相结合。升级扩展性 根据其模块化设计，PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。SENTECH控制软件 强大的用户友好软件包括模拟图形用户界面，参数窗口，工艺处方编辑窗口，数据记录和用户管理。Depolab 200是SENTECH 基本的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的成本效益设计的优点。从2″至8″晶片和样品的标准应用开始，可以逐步升级以完成复杂的工艺。PECVD Depolab 200的显著特点是系统的可靠设计，软件和硬件的灵活性。在该设备上开发了不同的工艺，例如用于高质量氮化硅和氧化硅层的沉积。PECVD Depolab 200包括带气路柜的反应腔体，电子控制，计算机、前级泵和配电箱。Depolab 200 等离子增强沉积设备用于在从室温到400℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特别适用于沉积用于刻蚀掩膜，电隔离膜及其他的介质膜。PECVD Depolab 200由SENTECH先进的控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。低成本效益高 PECVD等离子体增强化学气相沉积设备Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接载片相结合。升级扩展性 根据其模块化设计，PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。SENTECH控制软件 强大的用户友好软件包括模拟图形用户界面，参数窗口，工艺处方编辑窗口，数据记录和用户管理。Depolab 200是SENTECH 基本的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的成本效益设计的优点。从2″至8″晶片和样品的标准应用开始，可以逐步升级以完成复杂的工艺。PECVD Depolab 200的显著特点是系统的可靠设计，软件和硬件的灵活性。在该设备上开发了不同的工艺，例如用于高质量氮化硅和氧化硅层的沉积。PECVD Depolab 200包括带气路柜的反应腔体，电子控制，计算机、前级泵和配电箱。Depolab 200 等离子增强沉积设备用于在从室温到400℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特别适用于沉积用于刻蚀掩膜，电隔离膜及其他的介质膜。PECVD Depolab 200由SENTECH先进的控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。PECVD等离子体增强化学气相沉积设备Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接载片相结合。根据其模块化设计，PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。SENTECH控制软件 强大的用户友好软件包括模拟图形用户界面，参数窗口，工艺处方编辑窗口，数据记录和用户管理。Depolab 200是SENTECH 基本的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，它结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和直接载片的成本效益设计的优点。从2″至8″晶片和样品的标准应用开始，可以逐步升级以完成复杂的工艺。PECVD Depolab 200的显著特点是系统的可靠设计，软件和硬件的灵活性。在该设备上开发了不同的工艺，例如用于高质量氮化硅和氧化硅层的沉积。PECVD Depolab 200包括带气路柜的反应腔体，电子控制，计算机、前级泵和配电箱。Depolab 200 等离子增强沉积设备用于在从室温到400℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特别适用于沉积用于刻蚀掩膜，电隔离膜及其他的介质膜。PECVD Depolab 200由SENTECH先进的控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Depolab 200 等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备 开盖载片 适用于大到200mm的晶片 衬底温度可高达400 °C 可选低频射频降低应力 干泵组 占地面积小 Depolab 200 等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备 开盖载片 适用于大到200mm的晶片 衬底温度可高达400 °C 可选低频射频降低应力 干泵组 占地面积小 等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备 适用于大到200mm的晶片 衬底温度可高达400 °C 可选低频射频降低应力