RIE等离子刻蚀机 Etchlab 200

RIE等离子刻蚀机 Etchlab 200 低成本效 益高 RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性 根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件 该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺 编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Etchlab 200 带预真空室的Etchlab 200 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 选配椭偏仪接口 带预真空室的RIE刻蚀机 适用于4英寸到 8英寸的晶片 小片或碎片的载片器 氯基刻蚀气体 更大的真空泵组 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于300mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 想获取更多信息，请点击此处。想获取更多信息，请点击此处。RIE等离子刻蚀机 Etchlab 200 低成本效 益高 RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性 根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件 该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺 编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。低成本效 益高 RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性 根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件 该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺 编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件 该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺 编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Etchlab 200 带预真空室的Etchlab 200 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 选配椭偏仪接口 带预真空室的RIE刻蚀机 适用于4英寸到 8英寸的晶片 小片或碎片的载片器 氯基刻蚀气体 更大的真空泵组 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于300mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 Etchlab 200 带预真空室的Etchlab 200 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 选配椭偏仪接口 RIE等离子蚀刻机 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口