Ionfab 300 IBE
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式
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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器
Ion Beam
离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调,以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。
能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成
单晶圆传送模式或集群式晶圆操作
更低的表面薄膜粗糙度
更佳的批次均匀性和工艺重复性
准确终点监测 —— SIMS,发射光谱
| 型号 | Ionfab 300 IBE |
|---|---|
| 产品分类 | Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / Ion Beam |
| 工艺类型 | 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津 |
| 工艺类型 | 离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广 |
| 工艺特点 | 均匀性俱佳且应用范围广 |
| 工艺特点 | 均匀性和工艺重复性 准确终点监测 —— SIMS,发射光谱 |
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