PlasmaPro 100 ALE
PlasmaPro 100 ALE
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制。该系统专为GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计，其数字/循环刻蚀工艺可提供低损伤、光滑的表面
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说明
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器
PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制。该系统专为GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计，其数字/循环刻蚀工艺可提供低损伤、光滑的表面。
数字/周期性刻蚀工艺 - 刻蚀领域的原子层沉积(ALD)等效工艺
卓越的刻蚀深度控制
非常适用于纳米尺度层刻蚀（例如2D材料）
适用于广泛的工艺和应用领域
规格
| 型号 | PlasmaPro 100 ALE |
|---|---|
| 产品分类 | Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / ALE |
| 工艺类型 | 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津 |
| 工艺类型 | 原子层沉积(ALD)等效工艺 卓越的刻蚀深度控制 非常适用于纳米尺度层 |
| 设备能力 | 低损伤、光滑的表面 |
FAQ
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