PlasmaPro 100 ICPCVD
PlasmaPro 100 ICPCVD
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasm
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说明
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器
This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasmas that achieves superior film quality with low substrate damage.
更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺
电极的适用温度范围宽
兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
快速更换不同尺寸晶圆
购置成本低且易于维护
紧密的设计，布局灵活
电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C
实时监测清洗工艺，并且可自动停止工艺
规格
| 型号 | PlasmaPro 100 ICPCVD |
|---|---|
| 产品分类 | Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / ICPCVD |
| 晶圆/样品尺寸 | 适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 紧密的设计，布局灵活 电阻丝加热电极，最高温度 |
| 工艺类型 | 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津 |
| 工艺特点 | 均匀性、高产量以及高精度的工艺 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 |
| 工艺特点 | 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 紧密的设计，布局灵活 电阻丝加热电极，最高温 |
| 工艺特点 | 实时监测清洗工艺，并且可自动停止工艺 |
FAQ
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