液体原料CVD设备 PD-200STL
PD-200STL
负载锁定系统，最大可达Ø200毫米（8"）。PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100μm）
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说明
化学气相沉积
液体原料CVD
液体原料CVD设备 PD-200STL
液体原料CVD设备 PD-200STL负载锁定系统，最大可达Ø200毫米（8"）
PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100μm）。PD-200STL具有时尚、紧凑的设计，只需要最小的洁净室空间。
主要特点和优点
加工范围达Ø200毫米（8"）。
阴极耦合自偏析沉积技术可以实现低应力薄膜的高速（>300nm/min）沉积。
通过低温沉积，可以在塑料表面上沉积薄膜。
高纵横比结构的优秀阶梯覆盖率
使用锗、磷、硼液源控制折射率。
PD-200STL设计时尚、紧凑，只需要最小的洁净室空间。
塑料材料上保护膜的沉积
在3D LSI的通孔侧壁上沉积绝缘膜。
光波导的制造（光纤芯/包层）。
制造用于微型机械生产的面罩。
规格
| 型号 | PD-200STL |
|---|---|
| 产品类别 | plasma deposition etching and surface treatment equipment |
| 技术参数 | 液体原料CVD设备 PD-200STL |
| 技术参数 | 液体原料CVD设备 PD-200STL负载锁定系统，最大可达Ø200毫米（8"） |
| 技术参数 | PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100μm）。PD-200STL具有时尚、紧凑的设计，只需要最小的洁净室空间。 |
| 技术参数 | 加工范围达Ø200毫米（8"）。 |
| 技术参数 | 阴极耦合自偏析沉积技术可以实现低应力薄膜的高速（>300nm/min）沉积。 |
| 技术参数 | PD-200STL设计时尚、紧凑，只需要最小的洁净室空间。 |
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