ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iP
RIE-400iP
for III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)。RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工
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ICP刻蚀
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iP
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)
RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。
主要特点和优点
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"
可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。
大流量排气系统
排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。
端点监测
干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。
易于维护的设计
TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。
GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。
干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。
Lateral distributed-feedback gratings for single-mode, high-power terahertz quantum-cascade lasers M. Wienold, A. Tahraoui, L. Schrottke, R. Sharma, X. L�, K. Biermann, R. Hey, and H. T. Grahn
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