ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPC
RIE-800iPC
Excellent process repeatability and stability。高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性
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ICP刻蚀
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPC
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability
高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。
主要特点和优点
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。
可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。
大流量排气系统
排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。
下电极升降机构
晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。
易于维护的设计
TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。
GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。
SiC、SiO₂的高速加工。
蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。
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