深硅蚀刻设备 RIE-400iPB
RIE-400iPB
RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻
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深硅蚀刻
深硅蚀刻设备 RIE-400iPB
深硅蚀刻设备 RIE-400iPB研发设备，最大可达4"
RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。
主要特点和优点
可以实现高速硅深孔加工 它具有独特的等离子体源和反应器结构，支持博世工艺，可实现硅的快速深钻。
保持速度，减少扇形 通过高速切换气体，可以在保持蚀刻速度的同时减少扇形。
可以进行SiO₂的蚀刻 可以通过更换专用ICP线圈来处理SiO₂。
MEMS的制造（加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等）
μTAS等医疗设备的加工
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