PlasmaPro 100 RIE
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺
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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器
RIE Etching
PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。
兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
快速更换不同尺寸晶圆
购置成本低且易于维护
出色的均匀性,高产量和高工艺精度
实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺
电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C
| 型号 | PlasmaPro 100 RIE |
|---|---|
| 产品分类 | Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / RIE Etching |
| 晶圆/样品尺寸 | 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 出色的均匀性,高产量和高工艺精度 实时监测清洗 |
| 温度范围 | -150°C至400°C |
| 工艺类型 | 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津 |
| 工艺特点 | 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 出色的均匀性,高产量和高工艺精度 实时监测清 |
| 工艺特点 | 自动停止工艺 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C |
| 设备能力 | 多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺 |
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