材料表征、热分析、力学、粒度、表面和物性测试设备
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提交选型需求SENTECH ALD设备的优势 用于敏感衬底的PEALD 真远程等离子体源能够在低温<100°C下高均匀度和高保形性地覆盖敏感衬底和膜层，在样品表面提供高通量的反应性气体，而不受紫外线辐射或离子轰击。用于工艺研发和改善的实时监测 ALD实时监视仪RTM的原位诊断实现了单一ALD循环的超高分辨率。优点是确认ALD...
ALD实时监测仪的优势 工艺开发与优化 使用单一ALD循环可快速和简易地开发和优化ALD工艺。ALD实时监测仪显示了高达40ms分辨率的吸附和解吸过程。显著节省了研发时间，衬底，前驱体和气体。节省前驱体 通过ALD实时监测仪，ALD工艺变得更加有效。节省了前驱体和工艺时间。前驱体控制 当前驱体供应快要用尽时，AL...
高产量 等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于 到200 mm晶片的高产量工艺。研发 三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/...
宽光谱范围和高光谱精度 SENresearch 4.0 光谱椭偏仪覆盖宽的光谱范围，从190 nm(深紫外)到3500 nm(近红外)。傅立叶红外光谱仪FTIR提供了高光谱分辨率用以分析厚度高达200μm的厚膜。没有光学器件运动(步进扫描分析器原理) 为了获得测量结果，在数据采集过程中没有光学器件运动。步进扫描分...
成本效益 SENpro是具成本效益的光谱椭偏仪，同时不影响先进测量性能。可变入射角 光谱椭偏仪SENpro包括可变入射角的角度计，40°—90°，步进值5°，用于优化椭偏测量。步进扫描分析器 SENpro具有独特的步进扫描分析器。在数据采集过程中，偏振器和补偿器固定，以提供高的椭偏测量精度。光谱椭偏仪SENpro...
亚埃精度 稳定的氦氖激光器保证了0.1埃精度的超薄单层薄膜厚度测量。扩展激光椭偏仪的极限 性能优异的多角度手动角度计和角度精度优越的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折射率、消光系数和膜厚。高速测量 我们的激光椭偏仪SE 400adv的高速测量速度使得用户可以监控单层薄膜的生长和终点检测，或者做样品均匀性的自动...
厚度确定 椭偏测量和反射测量的结合允许通过自动识别循环厚度周期来快速且明确地确定透明膜的厚度。宽的测量范围 激光椭偏仪和反射仪的结合将透明薄膜的厚度范围扩展到25μm，更多地取决于光度计的选项。扩展激光椭偏仪的极限 性能优异的多角度手动角度计和角度精度优越的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折射率、消光系数和膜...
扩展折射率指数测量极限 我们的反射仪的特点是通过样品的高度和倾斜调整进行准确的单光束反射率测量，光学布局的高光导允许对n和k进行重复测量，对粗糙表面进行测量以及对非常薄的薄膜进行厚度测量。紫外-近红外光谱范围 RM 1000 430 nm – 930 nm RM 2000 200 nm – 930 nm 高分辨率...
简易的膜厚测量 通过选择合适的配方，FTPadv反射仪以小于100ms的测量速度、精度小于0.3nm、厚度范围为50nm-25μm的精度进行厚度测量。独特的自动建模 通过测量反射光谱和光谱数据库的比较，将测量误差减到很小。光谱椭偏SE为基础的材料数据库 基于SENTECH精确的椭偏光谱测量的大型材料库为测量新材料...
多晶硅和C-Si基太阳能电池的质量控制解决方案 SENperc PV是为PERC太阳能电池制造质量控制而设计的。它测量SiO2、Al2O3和SiNX单层膜和叠层膜，这些单层膜和叠层膜用于PERC电池(多晶硅衬底和c-Si衬底)的正面反射和背面钝化。对沉积过程的稳定性进行长时间的监测。由此，优化了维护时间间隔。Al...
防反射涂层的国际标准 目前国内外已有330多台SE 400adv PV激光椭偏仪用于表征防反射膜。粗糙表面分析 高灵敏度和超低噪声检测允许在非理想，杂散光造成表面的测量，典型的纹理单晶和多晶硅太阳能电池。高度准确 SE 400adv PV激光椭偏仪具有稳定的激光光源、稳定的温度补偿装置、超低噪声探测器，因而具有稳...
纹路晶片 防反射涂层和钝化层可以在单晶和多晶硅晶片上测量。叠层防反射涂层 可以分析SiO2/SiNx、Al2O3/SiNx和SiNx1/SiNx2的涂层。操作简单 不管是专家还是初学者，光谱椭偏仪SE 800 PV都提供了简单的操作。配方模式特别适合质量控制所需的常规应用。光谱椭偏仪SE 800 PV是分析结晶和...
整体表面分析 SenSol自动扫描系统是为薄膜测量设计的，在面板上的每个位置，特别是在边缘都可以进行测量。TCO自动扫描 TCO可以研究厚度的均匀性、薄层电阻、光谱分辨的雾度H(λ)、反射R(λ)和透射T(λ)。工艺优化 新的沉积工艺或清洗后的沉积设备的运行时间显著减少。SenSol自动扫描仪器设计用于玻璃薄膜光...
高速薄膜测量 借鉴内部参考技术，不需要在单独的位置上进行外部参考测量。这保证了连续多点薄膜测量的 速度。多探头装置 多达7个传感器探头由一个控制器驱动，为均匀性监测提供了具有成本效益的解决方案。SENTECH先进软件 易于使用、基于配方的FTP软件包括一个大型的预定义应用数据库，这些应用符合研发以及生产环境中的质...
MDPinline是生产集成的高速晶片少子寿命自动扫描系统。在一秒钟内完成单晶片形貌测量。MDPinline是一个用于定量测量少子寿命的紧凑型高速生产集成自动扫描系统。当晶片通过传送装置移动到仪器下面时，一片晶片的形貌测量在一秒钟的时间内进行实时测量。MDPinline本身不使用机械移动部件，使得它在连续操作下也...
MDPinline ingot用于多晶表面形貌电气特性的 系统，适用于高生产率的制造环境。总测量时间少于两分钟，分辨率为1毫米，且两面同时进行。MDPinline ingot系统是全世界可用于多晶硅电气特性的 快的测量工具。它被设计用于高产量生制造工厂的研究用途。每块砖都可以在不到两分钟的时间里同时测量两边的所有...
查看详情MDPlinescan被设计成一个易于集成的OEM单元，用于集成到各种自动化检测上。关键测量是少子寿命扫描。样品通常由测量探头下面的传送带或机器人系统传送。应用实例范围从砖块到晶片检查，测量速度小于每晶片一秒。电池生产线的进料质量调查是常见的应用案例，以及在钝化和扩散之后的工艺质量检查，在许多其他的专业应用领域也...
查看详情MPDPro设计用于对电特性进行分析，在四分钟的测量时间内，对1毫米分辨率，500毫米砖砖(或晶片)自动扫描。进行完全非接触测量。MDPpro系列具有快速、灵活，自动扫描多晶硅砖和晶片的稳固设计。同时测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度，所有测量图形同时绘制。这个仪器的设置非常简单，仅需要电源。测量必要性包...
MDPmap设计用于离线生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数的小型台式无触点电特性测量仪器，在稳态或短脉冲激励下(μ-PCD)下工作。自动的样品识别和参数设置允许在从原始生长晶片到高达95%金属化晶片的各种工艺阶段之后，容易地应用于包括外延层的各种不同样品。MDPmap的主要优点是灵活性...
查看详情低成本桌面式寿命测量系统，用于手动操作表征不同制备阶段的各种不同硅样品。可选的手动操作Z轴用于厚度多达156毫米的样品。标准软件可输出可视化的测量结果。MDPspot包括附加电阻率测量选项。只测量硅的电阻，对于没有高度调节可能性的晶片，或者对于砖。这两个选项中的一个是预先定义的。优势 用于单点测量少子寿命的台式装...
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