材料表征、热分析、力学、粒度、表面和物性测试设备
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产品 测试与测量 示波器 新一代示波器，快速洞察与分析 显示更多详细信息 带宽：200 MHz 至 1.5 GHz 全球首款波形捕获率超过 450 万波形/秒的示波器，频谱采集率高达 50,000 FFT/s，最多支持 4 个同步频谱，在业内名列前茅 业内出众的系统架构：18 位垂直分辨率/12 位 ADC，10...
产品 测试与测量 示波器 新一代示波器，以创新演进应对更多挑战 显示更多详细信息 带宽：350 MHz 至 2 GHz（四通道）
产品 测试与测量 示波器 设计紧凑的新一代示波器 显示更多详细信息 带宽：350 MHz 至 2 GHz（四通道）；100 MHz 至 2 GHz（八通道） 示波器高度为 2U，非常适合机架应用 集成式电子墨水显示屏显示仪器的 IP 地址和状态等关键信息，保证快速进行设置 支持模拟、频谱和数学运算波形上的区域触发...
产品 测试与测量 分析仪 信号与频谱分析仪 在创新和可用性方面树立标准 显示更多详细信息 市面上具备优越的相位噪声和灵敏度的产品 8.3 GHz 内部分析带宽 800 MHz 实时分析带宽 SCPI 记录器简化代码生成 高动态范围实现出色的 EVM 性能 FSW 高性能信号与频谱分析仪重新定义了精度，在日常工作中...
产品 测试与测量 分析仪 网络分析仪 R&S®ZNB 矢量网络分析仪 R&S®ZNB 矢量网络分析仪 在速度、动态范围及易操作性方面独占鳌头 显示更多详细信息 请注意以下后续产品 R&S®ZNB3000 Declaration of Conformity and Certificates 使用 ZN
R&S®ZNB3000 矢量网络分析仪具备业界顶尖的测量速度、稳定性和可扩展性，针对批量生产和充满挑战的应用进行了优化。
产品 测试与测量 信号发生器 模拟信号发生器 显示更多详细信息 频率范围为 8 kHz 至 1/3/6/12.75/20/31.8/40 GHz
产品 测试与测量 信号发生器 模拟信号发生器 显示更多详细信息 频率范围：8 kHz 至 3、6、12.75、20、31.8、40、50 和 67 GHz（最高 72 GHz 过量程范围）
The EasyTom S: a compact, powerful X-ray CT scanner for small to mid-size parts. Up to 2 µm resolution, fast ROI, metrology-ready. Request your quote.
Combine micro and nano CT in a single machine with the EasyTom L: up to 0.25 µm and 300 kV, large scan volume. Ideal for industry & academic research. Book a...
EasyTom L 450: a compact, high-energy 450 kV CT scanner for non-destructive testing of dense or multi materials parts. Dual tube, down to 5 µm. Request a quote.
EasyTom XL: an X-ray CT scanner for large parts up to Ø600 x 720 mm. Micro & nano sources up to 230 kV, high resolution. Request a quote.
Run in-situ experiments and R&D with the UltraTom: open system, up to 3 micro & nano sources, parts up to 100 kg. Low maintenance. Book a demo today.
Metrology Series: VDI/VDE 2630 certified CT scanners for dimensional metrology. GD&T, CAD comparison, internal measurement. Request a quote.
Bring CT inspection to the shopfloor with the FAB Series: robust, automated 24/7, VisionAI, OPC UA integration to ensure 24/7 uptime. Book a demo today.
化学气相沉积。原子层沉积(ALD)。无针孔薄膜沉积。主要特点和优点。原子层级的均匀薄膜控制。高深宽比结构的共形沉积。卓越的平面内均匀性和重复性。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。电子设备的栅绝缘体。半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面。MEMS等三维结构上的沉积。
低损伤等离子体增强原子层沉积（ALD）与热原子层沉积（ALD）结合在同一沉积腔室中。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）
PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）
负载锁定系统，最大可达Ø200毫米（8"）。PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100μm）
低应力薄膜的高速（>300nm/min）沉积。PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产
沉积物高达 ø300 mm (12")。PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产
PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能
PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%
PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能
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