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MinION
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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制。该系统专为GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计,其数字/循环刻蚀工艺可提供低损伤、光滑的表面

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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量,致密和表面光滑的沉积薄膜

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式
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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through hig...

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。用于生长1D / 2D纳米材料和异质结构的CVD / PECVD工具。通过在线催化剂活化和严格的工艺控制,实现纳米材料的高性能生长

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。系统可提供远程等离子体原子层沉积(ALD),这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。凭借在蚀刻GaN,SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验,我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案

Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。PlasmaPro 800 为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺提供了灵活的解决方案,它采用了紧凑的开放式装载系统

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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统,可提供多种刻蚀解决方案。它易于放置,便于使用,且能够确保工艺质量

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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统,该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻(RIE)工艺提供了灵活的解决方案

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